表面自己改質
Surface self modifying
半導体表面を種々のガス雰囲気や真空中で加熱すると表面原子が脱離したり，あるいはガスとの化学反応により表面数層（１～３層）が改質されます． 形成される物質は，結晶成長とは異なり，材料の持つ原子成分やガス雰囲気のみで決定されるため，制御性の良い構造が得られます． 今までにSiC表面において以下に挙げる物質の形成を確認しています． The surface 1-3 layer of the semiconductor is modified or desorpted by heating under a various gas atmosphere and/or vacuum. The formation of the following material were observed on SiC surface.- カーボンナノチューブ Carbon nanotube
- グラフェン Graphene
- SiON超薄膜 Silicon oxynitride (SiON) films
表面自己改質によるグラフェン・CNTの形成 Formation of graphene and CNT by surface self modifying
CNTの表面STM像および，グラフェンの断面TEM像の図
傾斜SiC(0001)表面を超高真空中で高温に加熱すると表面Si原子が脱離し，C原子が再配列によりグラファイト格子を形成します． ナノ表面ではジャスト基板に比べて高品質なグラフェンが形成される可能性があります．
傾斜SiC(0001)表面を超高真空中で高温に加熱すると表面Si原子が脱離し，C原子が再配列によりグラファイト格子を形成します． ナノ表面ではジャスト基板に比べて高品質なグラフェンが形成される可能性があります．
- K. Hayashi, S. Mizuno, S. Tanaka, H. Toyoda, H. Tochihara and I. Suemune, Jpn. J. Appl. Phys. 44, L803(2005).
- T. Shirasawa, K. Hayashi, S. Mizuno, S. Tanaka, K. Nakatsuji, F. Komori, and H. Tochihara, Phys. Rev. Lett. 98, 1 (2007).
- S. Tanaka, K. Morita, and H. Hibino, Phys. Rev. B 81, 041406 (2010).